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晶圓（Wafer）是半導體制造的基礎材料，通常由高純度單晶硅制成，呈圓形薄片狀。它是集成電路生產的"畫布"，所有芯片都是在其表面通過復雜工藝加工而成。標準晶圓直徑從早期的1英寸發展到現在的12英寸（300毫米），更大的18英寸晶圓也在研發中。

晶圓制造始于硅提純，將冶金級硅提純至99.9999999%（9N）以上。通過柴可拉斯基法（Czochralski method）生長出圓柱形單晶硅錠，經切割、研磨和拋光后形成厚度約0.5-0.7毫米的晶圓片。表面要求原子級平整，任何微小缺陷都會影響芯片良率。

在半導體工廠中，晶圓要經歷光刻、蝕刻、離子注入、薄膜沉積等數百道工序，形成多層電路結構。一片12英寸晶圓可生產數百個芯片，制程越先進（如7nm、5nm），芯片集成度越高。完成所有工藝后，晶圓被切割成單個芯片（Die），經測試封裝后成為最終產品。

晶圓技術直接決定半導體產業的水平，其尺寸增大和工藝進步推動著摩爾定律延續。中國正在加速12英寸晶圓廠建設，但高端大硅片仍依賴進口，突破晶圓制造技術對半導體自主可控至關重要。