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晶圓制造是半導體工業中最基礎也是最關鍵的環節之一，整個過程可以分為以下幾個主要步驟：

硅提純：從沙子中提取高純度硅（99.9999%以上），制成多晶硅。

單晶硅生長：

• 使用柴可拉斯基法(Czochralski法)將多晶硅熔融

• 放入籽晶并旋轉拉升，形成單晶硅錠

• 硅錠直徑通常為150mm(6英寸)、200mm(8英寸)或300mm(12英寸)

硅錠加工：

• 切除兩端和外圍部分

• 用金剛石鋸將硅錠切割成厚度約0.5-1mm的薄片

• 進行研磨和拋光，使表面極度平整

氧化：在高溫下使硅片表面形成二氧化硅絕緣層

光刻：

• 涂布光刻膠

• 通過掩模版曝光

• 顯影形成電路圖案

刻蝕：用化學或物理方法去除未被光刻膠保護的部分

離子注入：將特定雜質離子注入硅中，形成晶體管結構

化學氣相沉積(CVD)：沉積各種材料的薄膜層

金屬化：制作互連金屬層

測試與封裝：測試電性能，切割成單個芯片并封裝

整個制造過程需要在超凈環境中進行，可能需要數百道工序，耗時數周才能完成。